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图2CaCu3Fe2Ta2O12在(a)4K和(b)300K时的中子衍射精修图，间l健康(c)4K和300K的低角度的中子衍射数据，其中蓝色箭头表示核衍射和磁衍射之间的差异。有趣的是，相无介电温谱揭示了两种不同的介电弛豫行为(如下图3所示)。近日，症状者和北京大学、桂林理工大学、北京理工大学等科研人员在A位有序钙钛矿氧化物CaCu3Fe2Ta2O12中观测到独特的磁结构以及介电弛豫行为。
病例(d)CaCu3Fe2Ta2O12在4K时的磁结构。相关成果以DielectricrelaxationandmagneticstructureofA-site-orderedperovskiteoxidesemiconductorCaCu3Fe2Ta2O12为题，可申发表于经典化学期刊《InorganicChemistry》。
然而，高新感染常温常压下在A位和B位同时引入大半径的过渡金属离子往往比较困难。
通过低温中子衍射测试及解析，区4轻型请确认了CaCu3Fe2Ta2O12自旋磁结构是由反铁磁耦合的Fe3+自旋(3.09mB/fu)和铁磁耦合的Cu2+自旋(1.14mB/fu)组成，区4轻型请导致磁有序温度为150K(如下图2所示)。驿站图1fccVCoNi中CSRO的证据。
由于本工作的原位拉伸应变实验是在室温和相当低的应变速率(1×10−4/s)下进行的，间l健康因此在非晶化过程中，加热的影响应该是不显著的。它们通常会形成三维(3D)网状结构，相无在金属和半导体中，位错在每立方米的总长度可达到1光年。
症状者和灰色条表示5纳米的长度。另外，病例作者还研究了CSRO与位错的相互作用，阐明这些CSRO对变形时塑性机制和力学性能的影响。
